专利名称 | 非易失性半导体存储装置的基准电流生成电路 | ||
申请号 | CN200610073509.4 | 申请日期 | 2006-04-12 |
法律状态 | 权利终止 | 申报国家 | 中国 |
公开/公告日 | 2006-10-18 | 公开/公告号 | CN1848299 |
优先权 | 暂无 | 优先权号 | 暂无 |
主分类号 | G11C16/26 | IPC分类号 | 查看分类表> |
申请人 | 株式会社东芝 | 申请人地址 |
变更
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权利人 | 株式会社东芝 | 当前权利人 | |
发明人 | 本多泰彦 | ||
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 岳耀锋 |
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