在固态照明系统中用于色温控制的硅绝缘体光电二极管光学监测系统

发明专利无效专利

申请号：
CN200480026999.1
IPC分类号：G01J3/50;G01J3/28
申请日期：
2004-09-15
申请人：
皇家飞利浦电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	在固态照明系统中用于色温控制的硅绝缘体光电二极管光学监测系统
申请号	CN200480026999.1	申请日期	2004-09-15
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-10-25	公开/公告号	CN1853091
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01J3/50 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01J 红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法〔2〕 G01J3/00 光谱测定法；分光光度测定法；单色器；测定颜色〔4〕 G01J3/46 颜色的测量；颜色测量装置，例如色度计（测量色温入G01J 5/60）〔4〕 G01J3/50 用电辐射检测器〔4〕	IPC分类号	G;0;1;J;3;/;5;0;;;G;0;1;J;3;/;2;8查看分类表>
申请人	皇家飞利浦电子股份有限公司	申请人地址	荷兰艾恩德霍芬变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	皇家飞利浦电子股份有限公司	当前权利人	皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人	J·佩特鲁泽洛;T·莱塔维克;B·韦耶特
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	程天正;梁永

摘要

在固态照明系统中用于色温控制的硅绝缘体(SOI)光电二极管光学监测的方法和系统。该方法包括下述步骤：提供多个SOI光电二极管，其中每个SOI光电二极管包括硅衬底、形成在硅衬底上的埋入氧化层以及形成在埋入氧化层上的硅层，并且其中每个SOI光电二极管的硅层具有不同的厚度；关于波长和硅层的厚度确定穿过每个SOI光电二极管到达硅衬底的入射光的比例；以及基于所确定的比例计算入射光的彩色分量强度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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