一种多晶硅多晶粒薄膜的制备工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN202010476709.4
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/0368;H01L31/0445
申请日期：
2020-05-29
申请人：
佛山职业技术学院

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著录项信息

专利名称	一种多晶硅多晶粒薄膜的制备工艺
申请号	CN202010476709.4	申请日期	2020-05-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-08-21	公开/公告号	CN111564528A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;6;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;4;4;5查看分类表>
申请人	佛山职业技术学院	申请人地址	广东省佛山市三水区乐平镇职教路3号佛山职业技术学院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	佛山职业技术学院	当前权利人	佛山职业技术学院
发明人	段春艳;唐建生;冯泽君;许继源;陈潇跃;李颖;连佳生;赖华景;谢灏;柳淦元
代理机构	广州嘉权专利商标事务所有限公司	代理人	朱继超

摘要

本发明提供一种多晶硅多晶粒薄膜的制备工艺，包括以下步骤：(1)在单晶硅衬底上制备SiO2隔离层；(2)采用光刻掩膜法对SiO2隔离层进行腐蚀，暴露出单晶硅衬底，其中暴露出的单晶硅衬底为成核区域，得到不均匀成核衬底；(3)采用常压化学气相沉积法在步骤(2)制得的不均匀成核衬底上外延生长多晶硅薄膜。本发明通过在单晶硅衬底上制备SiO2隔离层；然后采用光刻掩膜法腐蚀SiO2层，暴露出单晶硅，制成不均匀成核衬底，然后用常压化学气相沉积外延生长多晶硅薄膜，制备出大晶粒的多晶硅薄膜；本发明所述制备方法能高速制备出高质量大晶粒多晶硅薄膜，从而提高多晶硅薄膜电池的性能，促进多晶硅薄膜电池的产业化应用。

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