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高压结型场效应晶体管的结构及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110441024.7
  • IPC分类号:H01L29/36;H01L29/808;H01L21/266;H01L21/337
  • 申请日期:
    2011-12-26
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称高压结型场效应晶体管的结构及制备方法
申请号CN201110441024.7申请日期2011-12-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-06-26公开/公告号CN103178093A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/36IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;8;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;7查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人宁开明;董科
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人刘昌荣
摘要
本发明公开了一种高压结型场效应晶体管的结构,其体区的深沟道中注入了一个反型层。本发明还公开了上述结构的HVJFET的制备方法,即在HVJFET的常规制备工艺中,在制作体区的衬底阱或漏端漂移区的反型层的同时,在体区的深沟道中通过光刻和离子注入工艺制作一个反型层。本发明通过往JFET体区的深沟道中注入类型相反的杂质,在未增加任何光刻层次的基础上,降低了JFET体区沟道的杂质浓度,使沟道更容易被耗尽,从而有效降低了HVJFET器件的夹断电压。

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