非易失性半导体存储装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710148119.3
IPC分类号：H01L27/12;H01L21/84
申请日期：
2007-08-28
申请人：
株式会社东芝

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法律信息

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著录项信息

专利名称	非易失性半导体存储装置及其制造方法
申请号	CN200710148119.3	申请日期	2007-08-28
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-03-05	公开/公告号	CN101136414
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	木下敦宽;渡边浩志;荒井史隆
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王以平

摘要

能够实现微细化·大容量化，同时还能够得到对短沟道效应有很强抵抗力的存储器。具有：形成在半导体衬底上的第1绝缘膜；夹着上述第1绝缘膜地形成在上述半导体衬底上的半导体层；将多个具有形成在上述半导体层上的栅绝缘膜、形成在上述栅绝缘膜上的浮栅、形成在上述浮栅上的第2绝缘膜、形成在上述第2绝缘膜上的控制栅的存储单元晶体管串联而构成的NAND列；形成在上述NAND列一端的具有杂质扩散层的源极区域；以及形成在上述NAND列另一端的具有金属电极的漏极区域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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