非易失性存储器装置和包括其的存储装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202011223516.4
IPC分类号：G11C16/04;G11C16/10;G11C16/34
申请日期：
2020-11-05
申请人：
三星电子株式会社

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著录项信息

专利名称	非易失性存储器装置和包括其的存储装置
申请号	CN202011223516.4	申请日期	2020-11-05
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-20	公开/公告号	CN113140248A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/04 使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;4;;;G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;6;/;3;4查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	朴奎河;金炯锡
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	赵南;张帆

摘要

提供了非易失性存储器装置和存储装置。该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；以及外围电路，其执行重复执行编程循环的编程操作。编程循环包括通过向从多个存储器单元中选择的存储器单元施加编程电压来执行编程、以及通过向所选择的存储器单元施加多个验证电压来进行第一验证。外围电路响应于第一验证的成功来完成编程操作，通过向所选择的存储器单元施加与多个验证电压不同的附加验证电压来执行第二验证，并且响应于第二验证的失败来确定编程操作已经失败。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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