图像传感器像素单元

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201820422648.1
IPC分类号：H04N5/225;H04N5/369;H01L27/146
申请日期：
2017-06-08
申请人：
半导体元件工业有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	图像传感器像素单元
申请号	CN201820422648.1	申请日期	2017-06-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04N5/225 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04N 图像通信，如电视 H04N5/00 电视系统的零部件（扫描部件或其与供电电压产生的组合入H04N 3/00）〔4，2011.01〕 H04N5/222 电视演播室线路；电视演播室装置；电视演播室设备〔4〕 H04N5/225 电视摄像机〔4〕	IPC分类号	H;0;4;N;5;/;2;2;5;;;H;0;4;N;5;/;3;6;9;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人	半导体元件工业有限责任公司	申请人地址	美国亚利桑那变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	半导体元件工业有限责任公司	当前权利人	半导体元件工业有限责任公司
发明人	M·因诺森特;T·格蒂斯
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	高文静

摘要

本实用新型涉及图像传感器像素单元。所述图像传感器像素单元包括：光电二极管，所述光电二极管响应于入射光而生成电荷；第一电荷存储区、第二电荷存储区和第三电荷存储区；第一晶体管，所述第一晶体管被配置为将所述生成电荷的第一部分转移到所述第一电荷存储区；第二晶体管，所述第二晶体管被配置为将所述生成电荷的第二部分转移到所述第二电荷存储区；以及第三晶体管，所述第三晶体管被配置为将所述生成电荷的所述第二部分从所述第二电荷存储区转移到所述第三电荷存储区。本实用新型解决的一个技术问题是提供具有改进的图像传感器像素单元的成像设备。本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的图像传感器像素单元和改进的系统。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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