等离子体处理装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201310138892.7
IPC分类号：H01J37/32
申请日期：
2013-04-19
申请人：
中微半导体设备（上海）有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	等离子体处理装置
申请号	CN201310138892.7	申请日期	2013-04-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-31	公开/公告号	CN103227091A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	中微半导体设备（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中微半导体设备（上海）有限公司	当前权利人	中微半导体设备（上海）有限公司
发明人	倪图强;梁洁;罗伟义
代理机构	上海天辰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	吴世华;林彦之

摘要

本发明公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔室及第一射频功率源和第二射频功率源，其中反应腔室包括相互平行设置的上电极和下电极，上电极设置在气体喷淋头内，下电极设于静电夹盘内；第一射频功率源用以在上下电极之间形成垂直方向的射频电场以产生等离子体，第二射频功率源用以调整等离子体的能量；所述反应腔室还包括环形绝缘体，环绕静电夹盘和/或静电夹盘的上方区域；以及由导线卷绕而成的开口金属环电极，嵌设于环形绝缘体中，所述金属环通有射频电流以产生水平方向的感应电场。本发明能够有效改善反应腔室内等离子体密度分布的均匀性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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