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半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03122047.9
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2003-04-22
  • 申请人:
    NEC化合物半导体器件株式会社
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN03122047.9申请日期2003-04-22
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2003-11-05公开/公告号CN1453858
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人NEC化合物半导体器件株式会社申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人NEC化合物半导体器件株式会社当前权利人NEC化合物半导体器件株式会社
发明人中泽大望;平沢宏希
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人张天舒;谢丽娜
摘要
一种电子器件(10)包括:(a)第一布线衬底(11),包含一个金属区域(111),用有延伸到金属区域(111)的凹槽(15)形成;以及(b)第二布线衬底(12),包含一个接地极,当连接到第一布线衬底(11)时,在凹槽(15)及凹槽(15)周围信号传送通道之外的区域形成该接地极;进一步包括至少一个安装在其上的第一电子部件(14)。第一和第二布线衬底(11,12)彼此直接耦合,使第一电子部件(14)放置在凹槽(15)之内。

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