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制备三烷氧基硅烷的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201280043428.3
IPC分类号：C07F7/04;B01D24/00;B01J23/72
申请日期：
2012-03-30
申请人：
OCI有限公司;等离子及雷射科技研究院

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制备三烷氧基硅烷的方法
申请号	CN201280043428.3	申请日期	2012-03-30
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-05-14	公开/公告号	CN103797018A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C07F7/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C07 有机化学〔2〕 C07F 含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物（含金属的卟啉入C07D 487/22；高分子化合物入C08） C07F7/00 含周期表第4或14族元素的化合物 C07F7/02 硅化合物 C07F7/04 硅酸的酯	IPC分类号	C;0;7;F;7;/;0;4;;;B;0;1;D;2;4;/;0;0;;;B;0;1;J;2;3;/;7;2查看分类表>
申请人	OCI有限公司;等离子及雷射科技研究院	申请人地址	韩国首尔变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	OCI有限公司,等离子及雷射科技研究院	当前权利人	OCI有限公司,等离子及雷射科技研究院
发明人	杨世仁;金容逸;金敬烈;金德允;阿舒罗夫·哈塔姆;阿普杜拉赫曼诺夫·鲍里斯;罗特施泰恩·弗拉基米尔;萨利霍夫·沙夫卡特;阿舒罗瓦·凯可亚特;萨利毕夫·阿克马尔;阿齐佐夫·苏丹;赛义多夫·萨比尔
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	巩克栋;杨生平

摘要

本发明涉及一种制备SiH(OR3)-型三烷氧基硅烷（其中，R为具有1-3个碳原子的甲基、乙基、丙基或异丙基基团）的方法，并且更具体地，所述方法包括下列步骤：通过在溶剂环境无需与空气接触下粉磨硅原材料防止硅表面的氧化作用以使得三烷氧基硅烷直接合成的初始诱导期显著减少；及通过使用反应器主体中提供的滤膜器持续选择部分溶剂以从反应环境中去除杂质。

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