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一种合成链状纳米结构的硒化镉的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510030858.3
  • IPC分类号:C01B19/00;C01G11/00
  • 申请日期:
    2005-10-28
  • 申请人:
    中国科学院上海硅酸盐研究所
著录项信息
专利名称一种合成链状纳米结构的硒化镉的方法
申请号CN200510030858.3申请日期2005-10-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-04-12公开/公告号CN1757593
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B19/00IPC分类号C;0;1;B;1;9;/;0;0;;;C;0;1;G;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院上海硅酸盐研究所申请人地址
上海市定西路1295号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海硅酸盐研究所当前权利人中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人高濂;陈名海
代理机构上海智信专利代理有限公司代理人潘振甦
摘要
本发明提供了一种合成链状纳米结构的硒化镉的方法。主要特征是以通过水热生长的Cd(OH)2六角纳米片为牺牲模板提供合成硒化镉所需的镉源,以硒代硫酸钠为硒源,采用水热法合成闭合链状纳米结构的硒化镉。首先合成Cd(OH)2,以硝酸钠为矿化剂,在200℃水热环境下生长新制备的非晶Cd(OH)2胶体,20小时后能得到晶型完整的六角纳米片晶。接着以此为牺牲模板,分散在硒代硫酸钠溶液中,在160℃水热10小时能制备得闭合的链状纳米结构的硒化镉,它们是硒化镉纳米粒子聚集成串组成的,链的直径在30-40nm。本方法由于使用牺牲模板,不存在后期处理模板带来的不利影响,是一种快速简便制备纳米粒子组装一维结构的新方法。

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