一种直拉硅单晶生长的热场结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200820028427.2
IPC分类号：C30B15/00;C30B29/06
申请日期：
2008-03-03
申请人：
西安隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司;西安隆基硅技术有限公司

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专利名称	一种直拉硅单晶生长的热场结构
申请号	CN200820028427.2	申请日期	2008-03-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	西安隆基硅材料有限公司;西安矽美单晶硅有限公司;西安隆基硅技术有限公司	申请人地址	宁夏回族自治区中卫市中宁县新堡镇团结南路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安隆基硅材料有限公司,宁夏隆基硅材料有限公司	当前权利人	西安隆基硅材料有限公司,宁夏隆基硅材料有限公司
发明人	李振国;李定武
代理机构	西安弘理专利事务所	代理人	罗笛

摘要

本实用新型公开了一种直拉硅单晶生长的热场结构，包括炉体、炉体内设置的石英坩埚和加热器，炉体侧壁下部设置有通孔，该通孔与抽气管道连通，抽气管道与机械泵相连接，炉体的顶部与氩气输送装置相连通，炉体的底部设置有炉底盘，炉底盘的上面自下而上依次安装有下保温罩、主保温罩和副保温罩，保温罩外侧均包裹有保温材料，保温材料与炉体的内侧壁之间留有空隙，副保温罩的侧壁设置有排气孔，该排气孔将热场内部和保温材料与炉体的内侧壁之间的空隙连通。避免了“掉渣”现象的发生，提高成品率，并可防止大量挥发物进入抽气管道和机械泵，减轻对机械泵的磨损，延长使用寿命，节约清洗抽气管道和机械泵的时间，提高生产效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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