一种基于多重分形克里金法的局部地磁图构建方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210237318.2
IPC分类号：G01V3/40
申请日期：
2012-07-10
申请人：
哈尔滨工程大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种基于多重分形克里金法的局部地磁图构建方法
申请号	CN201210237318.2	申请日期	2012-07-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-26	公开/公告号	CN102841385A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01V3/40 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01V 地球物理；重力测量；物质或物体的探测；示踪物（用于指示因事故被掩埋的人的位置，例如，被雪掩埋的人的位置的装置入A63B 29/02）〔4，6〕 G01V3/00 电或磁的勘探或探测；；地磁场特性的测量；例如，磁偏角或磁偏差〔2，4〕 G01V3/40 专用于测量地磁场的特性〔3〕	IPC分类号	G;0;1;V;3;/;4;0查看分类表>
申请人	哈尔滨工程大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工程大学	当前权利人	哈尔滨工程大学
发明人	赵玉新;常帅;刘厂;张振兴;沈志峰
代理机构	北京永创新实专利事务所	代理人	赵文利

摘要

本发明公开了一种基于多重分形克里金法的局部地磁图构建方法，包括步骤一：去除实测数据中的主磁场成分；步骤二：选定估值区域；步骤三：拟合高斯模型，计算估值区域内各控制点间以及各控制点与待插值点之间的半方差；步骤四：计算估值区域内各测点的权重系数；步骤五：利用多重分形理论推算待插值点邻域内的测度表达式；步骤六：建立待插值点在其小邻域内的多重分形克里金法插值方程；步骤七、采用交叉验证法验证插值的精度并构建地磁图。本发明充分考虑地磁异常场的空间相关性及其在待插值点邻域内的奇异特征，根据实测数据进行精确的插值，使得插值结果更加符合实际地磁异常场的空间变化趋势，为地磁导航构建高精度、高分辨率的局部地磁图。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供