一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201510203148.X
IPC分类号：H01L29/786;H01L21/336;H01L27/02;G02F1/1368
申请日期：
2015-04-24
申请人：
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司

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专利名称	一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
申请号	CN201510203148.X	申请日期	2015-04-24
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2015-07-15	公开/公告号	CN104779301A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/786 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕 H01L29/786 薄膜晶体管〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;8查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司
发明人	姜文博;谢世义;包智颖
代理机构	北京同达信恒知识产权代理有限公司	代理人	黄志华

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以减小薄膜晶体管的尺寸。所述薄膜晶体管包括位于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极和有源层，其中，有源层包括非掺杂非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层，所述源极/漏极与所述第一掺杂非晶硅层接触，所述漏极/源极与所述第二掺杂非晶硅层接触，所述源极和所述漏极位于不同的水平面上，且所述源极与所述漏极之间通过所述非掺杂非晶硅层隔开。

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