片状扩散法生长多晶金刚石及其用途

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专利名称	片状扩散法生长多晶金刚石及其用途
申请号	CN85100695	申请日期	1985-04-01
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	1986-01-10	公开/公告号	CN85100695
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京603信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	陈良辰;程月英
代理机构	中国科学院物理研究所专利办公室	代理人	高存秀

摘要

本发明提供一种超高压下生长多晶金刚石的方法。在压力为70～80干巴，温度为1600℃～2000℃的条件下，根据温度场，压力场的分布特点，用片状触媒扩散，使石墨直接一次快速生长成上、下对称的两个生长型多晶金刚石，其组织致密而均匀，晶粒细小而交错生长，磨制抛光后光洁度好，是制作拉丝成品模等的好材料。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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