软磁纳米线阵列的基片集成波导H面自偏置隔离器

发明专利无效专利

申请号：
CN201610341781.X
IPC分类号：H01P1/36
申请日期：
2016-05-23
申请人：
电子科技大学

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专利名称	软磁纳米线阵列的基片集成波导H面自偏置隔离器
申请号	CN201610341781.X	申请日期	2016-05-23
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-08-31	公开/公告号	CN105914439A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P1/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P1/00 辅助器件（波导型耦合器件入H01P 5/00） H01P1/32 非互易的传输器件（H01P 1/02至H01P 1/30优先）〔3〕 H01P1/36 隔离器〔2，3〕	IPC分类号	H;0;1;P;1;/;3;6查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	韩满贵;涂宽
代理机构	成都惠迪专利事务所（普通合伙）	代理人	刘勋

摘要

软磁纳米线阵列的基片集成波导H面自偏置隔离器，涉及微波器件，本发明包括SIW传输线和置于传输线内的4片有序软磁纳米线阵列条，SIW传输线包括介质基板，介质基板材料的介电常数介于8‑16之间，介质基板的上表面和下表面分别设有金属层，设置于介质基板内的两排平行的导电通孔构成波导的两个通孔边；有序软磁纳米线阵列条为长条状，设置于基板与表面金属层之间，且贴附于上下表面金属层，有序软磁纳米线阵列条的长边与波导的两个通孔边平行，靠近波导一侧的两片有序软磁纳米线阵列条的自发磁化方向为向上，靠近波导另一侧的两片有序软磁纳米线阵列条的自发磁化方向为向下。本发明体积小，结构简单，加工容易，易与平面微波电路集成。

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