一种将庞磁阻锰氧化物薄膜在纳米尺度图形化的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610736892.0
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/033;H01L21/311
申请日期：
2016-08-29
申请人：
复旦大学

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专利名称	一种将庞磁阻锰氧化物薄膜在纳米尺度图形化的方法
申请号	CN201610736892.0	申请日期	2016-08-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-12-21	公开/公告号	CN106252204A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;3;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1查看分类表>
申请人	复旦大学	申请人地址	上海市杨浦区邯郸路220号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学	当前权利人	复旦大学
发明人	牛洁斌;殷立峰;沈健
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	陆飞;陆尤

摘要

本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种将庞磁阻锰氧化物薄膜在纳米尺度图形化的方法。本发明首先在已经生长了庞磁阻锰氧化物薄膜的钛酸锶衬底上旋涂电子束光刻胶并烘烤，然后使用电子束直写光刻技术曝光所需纳米尺度图形版图，显影定影后得到所需纳米尺度图形的胶掩蔽图形，然后沉积铝金属薄膜，之后去胶剥离出铝金属掩蔽图形，再使铝金属掩蔽层氧化后转化为氧化铝掩蔽层，然后用离子束刻蚀庞磁阻锰氧化物薄膜层形成庞磁阻锰氧化物图形，最后去掉氧化铝掩蔽层并清洗衬底。本发明解决了电子束胶在离子束刻蚀时与庞磁阻锰氧化物层刻蚀速率比差的问题，降低电子束胶的厚度需求，提高电子束直写光刻的分辨率；本发明也解决了有些电子束胶在刻蚀后难以去除的问题。

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