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一种利用铜选择性淀积的大马士革工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510025457.9
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L21/3205
  • 申请日期:
    2005-04-27
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称一种利用铜选择性淀积的大马士革工艺
申请号CN200510025457.9申请日期2005-04-27
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2006-11-01公开/公告号CN1855420
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;0;5查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
上海市浦东川桥路1188号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹NEC电子有限公司当前权利人上海华虹NEC电子有限公司
发明人方精训;缪炳有;朱骏;朱建军
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明有关一种利用铜选择性淀积的大马士革工艺,在淀积扩散阻挡层和铜籽晶层后包括以下步骤,首先,淀积易挥发或可湿法去除的有机材料;接着,将过填的材料和未开槽区域的铜籽晶层及扩散阻挡层去除;然后,去除上述有机材料;然后,在沟槽及栓塞孔中进行铜淀积;最后,对突起的铜进行去除。由于采用本方法,大大减小了铜的化学机械抛光(CMP)的研磨量和所需的机械强度,且无需过研磨。从而使CMP后铜的凹陷最小化,并使表面平坦度得到提高。研磨量的减少和CMP机械强度的降低还会使与CMP相关的缺陷下降。

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