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一种稀磁合金材料RIn3-xFex及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810876202.0
  • IPC分类号:C22C28/00;C22C1/02;C22F1/16;C22F1/02;H01F1/147
  • 申请日期:
    2018-08-03
  • 申请人:
    华北电力大学
著录项信息
专利名称一种稀磁合金材料RIn3-xFex及其制备方法
申请号CN201810876202.0申请日期2018-08-03
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-12-28公开/公告号CN109097652A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C22C28/00IPC分类号C;2;2;C;2;8;/;0;0;;;C;2;2;C;1;/;0;2;;;C;2;2;F;1;/;1;6;;;C;2;2;F;1;/;0;2;;;H;0;1;F;1;/;1;4;7查看分类表>
申请人华北电力大学申请人地址
北京市昌平区朱辛庄北农路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华北电力大学当前权利人华北电力大学
发明人郭永权;杨硕望
代理机构北京众合诚成知识产权代理有限公司代理人张文宝
摘要
本发明公开了一种AuCu3型结构的RIn3‑xFex稀磁合金材料的制备方法,其包括以下步骤:(1)根据化学式RIn3‑xFex的化学计量比配制R、In、Fe三种单质元素;(2)在惰性气体的保护下反复熔炼R、In、Fe三种单质元素,得到锭状合金;(3)将熔炼成的锭状合金装入惰性气体环境的真空石英玻璃管中,并将该石英玻璃管进行热处理;(4)取出热处理后的产品进行冷却,得到具有AuCu3型结构的RIn3‑xFex稀磁合金。本发明方法将3d过渡族磁性元素、4f稀土元素和半导体元素按照配比进行熔炼,通过控制热处理时的温度和时间,消除铸态时存在的杂相,由此获得了几乎没有杂相、成分均匀的具有室温铁磁性的AuCu3型结构的RIn3‑xFex稀磁合金材料。

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