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在层间介质互连中形成低电阻和可靠过孔的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510108395.8
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/522
  • 申请日期:
    2005-10-13
  • 申请人:
    国际商业机器公司
著录项信息
专利名称在层间介质互连中形成低电阻和可靠过孔的方法
申请号CN200510108395.8申请日期2005-10-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-05-31公开/公告号CN1779946
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人国际商业机器公司申请人地址
美国纽约 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人格芯公司,格芯美国第二有限责任公司当前权利人格芯公司,格芯美国第二有限责任公司
发明人C·小凯波勒;L·A·克莱文格尔;T·J·达尔顿;P·W·德黑文;C·T·迪兹奥布科沃斯基;方隼飞;T·A·斯普纳;T-L·L·泰;K·H·翁;杨智超
代理机构北京市中咨律师事务所代理人于静;杨晓光
摘要
一种具有低接触电阻和改善的可靠性的新颖层间接触过孔结构,以及形成该接触过孔的方法。所述方法包括以下步骤:穿过层间介质层蚀刻开口,以露出下面的金属(铜)层表面;以及在所述露出的下面的金属中进行惰性气体(氮)的低能量离子注入;以及在所述过孔结构的侧壁和底部中沉积耐熔衬里,由于进行了惰性气体注入,所述耐熔衬里将具有较低的接触电阻。优选地,所述惰性氮气与所述下面露出的铜金属反应,以形成薄CuN 层。

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