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具有交指型位线结构的半导体存储器阵列

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN90106618.4
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    1990-07-31
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称具有交指型位线结构的半导体存储器阵列
申请号CN90106618.4申请日期1990-07-31
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日1991-07-10公开/公告号CN1052964
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道水原市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人赵秀仁;徐东一;黄泓善
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人郭伟刚;匡少波
摘要
公开了用于增加位线间和读出放大器间的间距以便于实现半导体存储器件的制造的一种布局设计方法和能够减少读出放大器数量的半导体存储阵列。该半导体存储器阵列包括多条位线,多个读出放大器,每个读出放大器与每一对位线相连接,其中,按每列设置的读出放大器构成各个组,奇数对位线与偶的或奇的读出放大器相连,偶数对位线与奇的或偶的读出放大器相连。

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