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GaN单晶衬底及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410044554.8
IPC分类号：--
申请日期：
1998-10-29
申请人：
住友电气工业株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	GaN单晶衬底及其制造方法
申请号	CN200410044554.8	申请日期	1998-10-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-11-03	公开/公告号	CN1542992
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	住友电气工业株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	住友电气工业株式会社	当前权利人	住友电气工业株式会社
发明人	元木健作;冈久拓司;松本直树
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	李贵亮;杨梧

摘要

一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底(2)上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗(10)的屏蔽层(8)，和外延层生成工序，在屏蔽层(8)上，生长由GaN构成的外延层(12)。

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