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利于填充的通孔制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710318371.8
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2017-05-08
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称利于填充的通孔制作方法
申请号CN201710318371.8申请日期2017-05-08
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2017-09-15公开/公告号CN107170708A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人孙磊;黄君
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人智云
摘要
本发明提供一种利于填充的通孔制作方法,在半导体器件表面依次沉积蚀刻停止层、内层介电层、抗反射层,并将抗反射层、内层介电层以及部分蚀刻停止层刻蚀出第一通孔;将第一通孔的底部刻蚀至二氧化硅层,形成第二通孔;在第二通孔内填充抗反射材料;光刻出口径大于第二通孔的第三通孔;将第三通孔底部刻蚀至半导体器件的二氧化硅层形成第四通孔,去除第四通孔内剩余的抗反射材料,形成第五通孔;继续刻蚀第五通孔。本发明提供的通孔制作方法将上部通孔关键尺寸做大进而形成较大敞口的通孔形貌,从而降低深宽比对后续工艺带来的负面影响,进而降低后续金属钨对通孔填充难度,增大了后续工艺窗口。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供