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一种基于载流子浓度调控的垂直型场发射三极管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011605612.5
  • IPC分类号:H01L29/786
  • 申请日期:
    2020-12-30
  • 申请人:
    东南大学
著录项信息
专利名称一种基于载流子浓度调控的垂直型场发射三极管
申请号CN202011605612.5申请日期2020-12-30
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-27公开/公告号CN112713198A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人东南大学申请人地址
江苏省南京市江宁区东南大学路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东南大学当前权利人东南大学
发明人王琦龙;张光曙
代理机构南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)代理人沈廉
摘要
本发明公开了一种基于载流子浓度调控的垂直型场发射三极管,该垂直型场发射三极管结构自下而上分别为:背栅电极(1),第一介质层(2),发射极(3),第二介质层(4)以及顶部的收集极薄膜层(5),该器件含一凹槽(6)位于发射极(3)、第二介质层(4)和收集极薄膜层(5)的中部。其中栅极电压与介质层、发射极形成电容结构,栅极电压通过调控半导体材料发射极反转程度对发射极上下两表面电子浓度,实现对场发射电流进行调控。该栅极调控方式增强了场发射器件的设计灵活度,该器件在高速、高功率器件领域具有很好的应用前景。

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