加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法及装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110728156.1
  • IPC分类号:H01L21/033
  • 申请日期:
    2021-06-29
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法及装置
申请号CN202110728156.1申请日期2021-06-29
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-10-15公开/公告号CN113506727A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/033IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;3;3查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区良腾路6号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人姚邵康;巨晓华;王奇伟
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人周耀君
摘要
本发明提供一种改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法及装置,应用于半导体领域。在本发明提供的改善自对准双重曝光工艺侧墙倾斜的制作方法中,第一步骤:在待刻蚀层上形成核心层,核心层光刻;第二步骤:核心层刻蚀,去除多余光刻胶;第三步骤:核心层微缩;第四步骤:侧墙沉积,侧墙刻蚀;第五步骤:晶背侧墙薄膜去除;第六步骤:核心层去除;第七步骤:以侧墙作为掩膜进行待刻蚀层刻蚀。其中,因去除晶圆背面的侧墙薄膜,改善了侧墙薄膜应力引起的侧墙倾斜问题,提高了自对准双重曝光工艺的均匀性。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供