非易失性存储系统及其读取方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810711889.2
IPC分类号：G11C16/26;G11C16/34
申请日期：
2018-06-29
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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著录项信息

专利名称	非易失性存储系统及其读取方法
申请号	CN201810711889.2	申请日期	2018-06-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-12-11	公开/公告号	CN108986865A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/26 读出或读电路；数据输出电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;2;6;;;G;1;1;C;1;6;/;3;4查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	李前辉;王颀;徐启康;王乾乾;卫婷婷;杨柳
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	暂无

摘要

一种非易失性存储系统及其读取方法。非易失性存储系统可包括存储单元阵列，具有多个存储单元；字线电压产生器，产生提供给存储单元的第一尝试读取电压和第二尝试读取电压，其中第一和第二尝试读取电压适于将处于最高态的存储单元按照阈值电压分为三个部分，第二尝试读取电压小于第一尝试读取电压；控制逻辑，确定处于最高态下的存储单元中，阈值电压高于第一尝试读取电压的第一部分存储单元的第一数量以及阈值电压介于第一和第二尝试读取电压之间的第二部分存储单元的第二数量；电压偏移确定模块，根据第一数量和第二数量确定对应最高态的第一阈值电压偏移量，以及根据第一阈值电压偏移量确定最高态以外的分布态的第二阈值电压偏移量。

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