半导体互联结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011363864.1
IPC分类号：H01L21/768;H01L23/46;H01L23/538
申请日期：
2020-11-27
申请人：
浙江集迈科微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体互联结构及其制备方法
申请号	CN202011363864.1	申请日期	2020-11-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-12	公开/公告号	CN112490187A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/768 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/71 限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造（H01L 21/28，H01L 21/44，H01L 21/48优先）〔6〕 H01L21/768 利用互连在器件中的分离元件间传输电流〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;6;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;8查看分类表>
申请人	浙江集迈科微电子有限公司	申请人地址	浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江集迈科微电子有限公司	当前权利人	浙江集迈科微电子有限公司
发明人	冯光建;莫炯炯;郭西;高群;顾毛毛
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	余明伟

摘要

本发明提供一种半导体互联结构及其制备方法，包括第一连接结构、第二连接结构、第三连接结构及终端结构；其中，第一连接结构及第二连接结构键合后进行电连接以构成微流道结构模块；微流道结构模块及第三连接结构键合后进行电连接以构成互联结构模块，互联结构模块显露微流道、第一金属连接层及第二金属连接层；互联结构模块嵌入终端结构中，微流道与终端结构的通孔相贯通，且第三连接结构与终端结构表面的焊盘电连接，第一金属连接层、第二金属连接层分别与终端结构的凹槽侧壁的焊盘电连接；本发明可有效减少占用面积，提高集成度，且可提高散热性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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