一种具有超结结构的MOSFET器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110632355.2
IPC分类号：H01L29/06;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/331
申请日期：
2021-06-07
申请人：
西安电子科技大学

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著录项信息

专利名称	一种具有超结结构的MOSFET器件及其制备方法
申请号	CN202110632355.2	申请日期	2021-06-07
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-19	公开/公告号	CN113517333A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市雁塔区太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	何艳静;侯敏;袁嵩;江希;弓小武
代理机构	西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘长春

摘要

本发明公开了一种具有超结结构的MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：半导体层，其自下而上包括N++衬底区、N型缓冲层以及N型外延层；若干水平间隔排列的P型体区，位于半导体层中的N型外延层上表面；N+注入区，位于P型体区的上表面两侧；P+接触区，位于P型体区的上表面中心；栅极，位于相邻两个P型体区的上表面，且通过栅极绝缘膜与P型体区隔开；源极，覆盖栅极且通过层间绝缘膜与栅极隔开；漏极，位于半导体层中的N++衬底区下表面；其中，半导体层内部还设有一由带电粒子形成的陷阱能级区，其位于N型外延层下部靠近N型缓冲层的位置。本发明提供的MOSFET器件具有较好的软恢复性能和较高的开关速度。

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