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一种通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510133717.8
  • IPC分类号:G03F7/20
  • 申请日期:
    2015-03-25
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法
申请号CN201510133717.8申请日期2015-03-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-06-24公开/公告号CN104730869A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人蔡亮;吴鹏;陈力钧
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人王宏婧
摘要
一种通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法,包括:掩膜板之当层图案与前层图案的套刻精度为零时,第一交点和第二交点在第一方向上偏移量为零,当层图案与前层图案之夹角均为θ,其中,L1为当层图案之底角到前层图案之第一边界的距离,H1为第一交点到当层图案之底边的距离;在第二方向上发生偏移量为L2‑L1,且通过显微镜法获得第一交点与第二交点在第一方向上的偏移量为L3,则则当层图案与前层图案在第二方向上的偏移量为本发明满足高套刻精度之要求的工艺,提高检测精度,降低硅片的在线套刻精度不良率,减少返工频率,最终提高产品的器件性能和良品率。

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