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MOSFET门极串扰钳位电路、控制方法及控制器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110072434.2
  • IPC分类号:H02H9/04
  • 申请日期:
    2021-01-19
  • 申请人:
    深圳市汇川技术股份有限公司
著录项信息
专利名称MOSFET门极串扰钳位电路、控制方法及控制器
申请号CN202110072434.2申请日期2021-01-19
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-20公开/公告号CN112688289A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02H9/04IPC分类号H;0;2;H;9;/;0;4查看分类表>
申请人深圳市汇川技术股份有限公司申请人地址
广东省深圳市宝安70区留仙二路鸿威工业园E栋 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市汇川技术股份有限公司当前权利人深圳市汇川技术股份有限公司
发明人刘璐;张太之
代理机构深圳市世纪恒程知识产权代理事务所代理人薛福玲
摘要
本发明涉及电控技术领域,尤其涉及一种MOSFET门极串扰钳位电路、控制方法及控制器。所述电路包括MOSFET驱动单元、抗扰单元及驱动芯片;其中,所述MOSFET驱动单元的门极与所述驱动芯片的第一驱动端连接,所述抗扰单元的第一端与所述MOSFET驱动单元的门极连接,所述抗扰单元的第二端与所述驱动芯片的负压端或接地端连接;所述抗扰单元,用于接收在MOSFET开关过程中引起的串扰电压;所述驱动芯片,用于控制所述抗扰单元降低所述串扰电压。本发明通过上述电路对MOSFET驱动单元的门极进行隔离与钳位,有效抑制了门极串扰电压。

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