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压接式IGBT器件

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201120231628.4
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L23/36
  • 申请日期:
    2011-07-04
  • 申请人:
    润奥电子(扬州)制造有限公司
著录项信息
专利名称压接式IGBT器件
申请号CN201120231628.4申请日期2011-07-04
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6查看分类表>
申请人润奥电子(扬州)制造有限公司申请人地址
江苏省扬州市广陵产业园创业路 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏润奥电子制造股份有限公司当前权利人江苏润奥电子制造股份有限公司
发明人高占成;徐爱民;顾标琴
代理机构扬州苏中专利事务所(普通合伙)代理人孙忠明
摘要
压接式IGBT器件,包括并联的多个单元器件(1),每个所述单元器件(1)包括依次层叠的发射极钼片(101)、IGBT芯片(102)和集电极钼片(103),该多个单元器件密封地封装在陶瓷管壳内,并且压接在该陶瓷管壳的顶部和底部之间。本实用新型的压接式IGBT器件结构紧凑,密封良好,无任何阴线连接和焊接,器件的电感引入小,适合在高压大电流、高频下使用,并且产品的一致性良好。此外,本实用新型制造工艺简单,成本低廉,便于大规模生产,生产效率高,更重要的是,由于本实用新型获得的IGBT器件开关性能良好,由于可通过陶瓷管壳的顶部和底部双面散热,因此该器件的热阻小,热疲劳性能好,散热良好,电流额定值高。

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