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基于钙钛矿纳米晶的γ射线闪烁转换屏的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110447448.8
  • IPC分类号:G01T1/202;C01G21/00;C30B7/14;C30B28/04;C30B29/12;G21K4/00;B82Y30/00;B82Y40/00;B05D7/24;B05D1/00
  • 申请日期:
    2021-04-25
  • 申请人:
    上海大学
著录项信息
专利名称基于钙钛矿纳米晶的γ射线闪烁转换屏的制备方法
申请号CN202110447448.8申请日期2021-04-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-31公开/公告号CN113325462A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01T1/202IPC分类号G;0;1;T;1;/;2;0;2;;;C;0;1;G;2;1;/;0;0;;;C;3;0;B;7;/;1;4;;;C;3;0;B;2;8;/;0;4;;;C;3;0;B;2;9;/;1;2;;;G;2;1;K;4;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;B;0;5;D;7;/;2;4;;;B;0;5;D;1;/;0;0查看分类表>
申请人上海大学申请人地址
上海市宝山区上大路99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海大学当前权利人上海大学
发明人张志军;杨珩;李乾利;李慧慧
代理机构重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙)代理人任苇
摘要
本发明公开了一种基于钙钛矿纳米晶的全可见光谱、快速γ射线闪烁转换屏及其制备方法,首次解决了钙钛矿纳米晶体不能探测γ射线和传统闪烁体发光波长不可调节的问题。钙钛矿纳米晶为CsPbX3(Cl,Br,I),选用基底为BaF2单晶闪烁体,公开了一种CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏的新结构。CsPbX3NCs@BaF2闪烁转换屏对γ射线具有非常有效的响应,在137Csγ射线源激发下的光产额为6300光子/MeV,γ射线衰减时间约为11ns,是实现快时间分辨率和全可见光谱γ射线探测的理想闪烁材料。本发明还将作为基底的闪烁体扩展到CeF3、LuAlO3:Ce(LuAP:Ce)、YAlO3:Ce(YAP:Ce)或ZnO:Ga等,它们结合钙钛矿材料,同样可以实现全色发射和高效γ射线探测。

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