一种晶圆封装结构的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201611058185.7
IPC分类号：H01L21/48;H01L23/367;H01L23/373
申请日期：
2016-11-27
申请人：
南通沃特光电科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种晶圆封装结构的制造方法
申请号	CN201611058185.7	申请日期	2016-11-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-02-22	公开/公告号	CN106449432A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/48 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3查看分类表>
申请人	南通沃特光电科技有限公司	申请人地址	江苏省南通市海安市城东镇晓星大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏联友科研仪器有限公司	当前权利人	江苏联友科研仪器有限公司
发明人	王汉清
代理机构	北京集智东方知识产权代理有限公司	代理人	张红;程立民

摘要

本发明提供了一种晶圆封装结构的制造方法，其特征在于，包括：（1）提供半导体衬底，具有相对的上表面和下表面，所述上表面具有多个焊盘；（2）形成覆盖所述上表面的阻焊层，所述阻焊层漏出所述多个焊盘，并且漏出上表面的边缘位置；（3）在所述多个焊盘上形成多个焊球；（4）在所述上表面的未被阻焊层覆盖的边缘位置上形成围绕所述阻焊层的金属导热层；（5）形成连接所述金属导热层并贯通所述上表面和下表面的多个导热通孔；（6）形成覆盖所述下表面的散热层。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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