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活性物质以及活性物质的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910178589.3
  • IPC分类号:H01M4/02;H01M4/58;H01M4/62;H01M4/04;C01B25/45
  • 申请日期:
    2009-09-29
  • 申请人:
    TDK株式会社
著录项信息
专利名称活性物质以及活性物质的制造方法
申请号CN200910178589.3申请日期2009-09-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-05-26公开/公告号CN101714623A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/02IPC分类号H;0;1;M;4;/;0;2;;;H;0;1;M;4;/;5;8;;;H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;4;/;0;4;;;C;0;1;B;2;5;/;4;5查看分类表>
申请人TDK株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人TDK株式会社当前权利人TDK株式会社
发明人佐野笃史;大槻佳太郎;宫本阳辅;高桥毅;井上亨;樋口章二
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳
摘要
本发明是提供一种活性物质,所述活性物质能够形成在放电容量以及速率特性方面优异的电化学元件。第一本发明的活性物质具备:化合物粒子,包含具有由下述化学式(1)所示的组成的化合物;碳层,覆盖所述化合物粒子;和碳粒子。第二本发明的活性物质具备:碳粒子;和化合物粒子,包含具有由下述化学式(1)所示的组成的化合物,一次粒子的平均粒径为0.03~1.4μm,并且被担载于所述碳粒子,LiaMXO4···(1)化学式(1)中,a满足0.9≤a≤2,M表示选自Fe、Mn、Co、Ni以及VO中的一种,X表示选自P、Si、S、V以及Ti中的一种。

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