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全息照相记录材料及全息照相记录介质

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200580015347.2
  • IPC分类号:G03H1/02;G03F7/004;G03F7/075;G11B7/0065
  • 申请日期:
    2005-04-25
  • 申请人:
    TDK株式会社
著录项信息
专利名称全息照相记录材料及全息照相记录介质
申请号CN200580015347.2申请日期2005-04-25
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-04-25公开/公告号CN1954272
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03H1/02IPC分类号G;0;3;H;1;/;0;2;;;G;0;3;F;7;/;0;0;4;;;G;0;3;F;7;/;0;7;5;;;G;1;1;B;7;/;0;0;6;5查看分类表>
申请人TDK株式会社申请人地址
日本国东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人TDK株式会社当前权利人TDK株式会社
发明人水岛哲郎;塚越拓哉;三浦荣明;吉成次郎
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人李贵亮
摘要
提供一种全息照相记录材料及全息照相记录介质,该全息照相记录材料实现高的折射率变化、柔软性、高灵敏度、低散射、耐环境性、耐久性、低尺寸变化及高多重性,适用于体积型全息照相记录。一种全息照相记录材料,其包含有机金属化合物和光聚合性化合物,其中,所述有机金属化合物至少具有至少2种金属、氧及芳香族基团、且含有2个芳香族基团直接键合在1个金属上的有机金属单元。所述至少2种金属中的1种是Si,Si以外的其他金属优选选自由Ti、Zr、Ge、Sn、Al及Zn构成的群组。所述有机金属单元优选2个芳香族基团直接键合在1个Si上。全息照相记录介质(11),其具有全息照相记录材料层(21)。

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