一种提高运算放大器电源抑制比的频率补偿电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201410427331.3
IPC分类号：H03F3/45
申请日期：
2014-08-27
申请人：
北京中电华大电子设计有限责任公司

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专利名称	一种提高运算放大器电源抑制比的频率补偿电路
申请号	CN201410427331.3	申请日期	2014-08-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-08	公开/公告号	CN104767496A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03F3/45 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03F 放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J 43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B 3/36、H04B 3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M 1/60，H04M 3/40） H03F3/20 至H03F 3/72各组优先于H03F 3/02至H03F 3/189各组。〔2〕 H03F3/45 差动放大器〔2〕	IPC分类号	H;0;3;F;3;/;4;5查看分类表>
申请人	北京中电华大电子设计有限责任公司	申请人地址	北京市昌平区北七家未来科技城南区中国电子网络安全和信息化产业基地C栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京中电华大电子设计有限责任公司	当前权利人	北京中电华大电子设计有限责任公司
发明人	郄利波;马华
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种具有提高电源抑制比频率补偿电路的运算放大器，属于模拟集成电路领域。两级运算放大器结构为：偏置电压VBIAS1为M3和M4管栅极供电，使得M1和M3(M2和M4)构成共源共栅结构。共源共栅的M1、M3和M2、M4构成第一级放大器的差分输入。偏置电压VBIAS2为M5、M9管栅极供电，M5管是差分输入的尾电流。M8是第二级放大器的输入管，M9是第二级的电流源负载。补偿电容Cc一端接到共栅管M4的源极V1节点，另一端连接运放输出节点VO。本发明相比传统米勒补偿电路结构，具有该补偿电路的运算放大器满足频率补偿的同时，还可以提高大约30dB电源抑制比，使得更有利于满足复杂环境应用的要求。

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