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一种沟槽栅型IGBT芯片及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510766095.2
  • IPC分类号:H01L29/423;H01L21/336
  • 申请日期:
    2015-11-10
  • 申请人:
    株洲南车时代电气股份有限公司
著录项信息
专利名称一种沟槽栅型IGBT芯片及其制作方法
申请号CN201510766095.2申请日期2015-11-10
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2016-03-02公开/公告号CN105374859A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/423IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人株洲南车时代电气股份有限公司申请人地址
湖南省株洲市石峰区时代路169号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株洲中车时代半导体有限公司,株洲中车时代电气股份有限公司当前权利人株洲中车时代半导体有限公司,株洲中车时代电气股份有限公司
发明人刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉;戴小平
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人王宝筠
摘要
本发明公开了一种沟槽栅型IGBT芯片及其制作方法,位于所述述基区背离所述漂移区一侧、且沿第二方向间隔设置的多个第一辅助沟槽和多个第二辅助沟槽,所述第一辅助沟槽和第二辅助沟槽均延伸至所述漂移区,所述第一辅助沟槽与所述第一常规沟槽相连通,所述第二辅助沟槽与所述第二常规沟槽相连通。由上述内容可知,本发明提供的技术方案,通过在第一常规沟槽和第二常规沟槽之间设置第一辅助沟槽和第二辅助沟槽,且第一辅助沟槽与第一常规沟槽相连通,第二辅助沟槽与第二常规沟槽相连通,以间接缩短第一常规沟槽和第二常规沟槽之间的间距,提高了沟槽栅型IGBT芯片的关断速度,提高了沟槽栅型IGBT芯片的性能。

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