一种低剖面双极化强耦合超宽带平面偶极子相控阵天线

发明专利无效专利

申请号：
CN202010898995.3
IPC分类号：H01Q21/24;H01Q1/36;H01Q1/50
申请日期：
2020-08-31
申请人：
电子科技大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种低剖面双极化强耦合超宽带平面偶极子相控阵天线
申请号	CN202010898995.3	申请日期	2020-08-31
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-01	公开/公告号	CN112018525A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q21/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q21/00 天线阵或系统（改变天线或天线系统辐射波的指向或方向图形的装置入H01Q3/00）〔1，2006.01〕 H01Q21/24 极化方向不同的天线单元的组合，以便发射或接收圆极化和椭圆极化波或任意方向极化的线性极化波〔1，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;Q;2;1;/;2;4;;;H;0;1;Q;1;/;3;6;;;H;0;1;Q;1;/;5;0查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	杨仕文;李志伟;陈益凯;屈世伟
代理机构	四川省成都市天策商标专利事务所	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种低剖面双极化强耦合超宽带平面偶极子相控阵天线及其研制方法。通过利用十字交叉偶极子结构，实现了在一个平面内放置两种辐射互相垂直的极化波的偶极子。天线上方放置的人工超材料阻抗匹配层取代传统介质匹配层，有效降低了剖面高度和天线整体质量，使得天线更易于加工和安装。阻性材料使用改善了整个频带内的驻波，同时拓展低频带宽，使天线拥有了更好的宽带特性。本发明在0.25‑2GHz(8:1)频带内E面±60°扫描H面±45°扫描有源驻波小于3，各方位面平均辐射效率高于70％，剖面高度仅为0.453个高频波长，适用于要求超宽带、双极化和低剖面的应用平台。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供