读取及写入一种磁性存储器设备的方法

发明专利有效专利

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	读取及写入一种磁性存储器设备的方法
申请号	CN200610146358.0	申请日期	2006-11-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-05-23	公开/公告号	CN1967715
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;0;2查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	何家骅
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	王英

摘要

一种磁性随机存取存储器(MRAM)单元，其包含磁性金属层与接近该磁性金属层的磁性感测设备。该磁性金属层的其中一端与字线晶体管耦接，而其另一端与第一位线耦接。该磁性感测设备可与第二位线耦接。该磁性金属层兼具编程及读取该单元的两种功能，使该单元不需要第二条电流线。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供