模拟数字接口SRAM结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201780053154.9
IPC分类号：G11C11/419;G11C11/413;G11C7/16;G11C8/10
申请日期：
2017-07-04
申请人：
UX株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	模拟数字接口SRAM结构
申请号	CN201780053154.9	申请日期	2017-07-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-21	公开/公告号	CN109791787A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/419 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/413 辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕 G11C11/417 用于场效应型存储单元的〔5〕 G11C11/419 读写〔R-W〕电路〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;9;;;G;1;1;C;1;1;/;4;1;3;;;G;1;1;C;7;/;1;6;;;G;1;1;C;8;/;1;0查看分类表>
申请人	UX株式会社	申请人地址	韩国京畿道城南市盆唐区板桥站路182,704号（三坪洞）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	UX株式会社	当前权利人	UX株式会社
发明人	金昌贤;朴俊荣
代理机构	西安毅联专利代理有限公司	代理人	陆佳

摘要

本发明是在已存SRAM的IO回路和位线构造基础上，改进了开关的构造而使储存的数字数据解读成模拟数据，并可以把模拟数据变换成数字数据而储存的模拟数字接口SRAM结构，为了能够各自选择竖向本地存储单元而存在的一侧的位线和对侧的位线进行均匀分配的位元开关在位线上形成的存储单元数组，一边选择横向本地存储单元，同时选择竖向复数的本地存储单元，能够进行多重访问的多重译码器和把从外部输入的模拟数据变换成数字数据并且使之存储在本地存储单元，把在本地存储单元储存的数字数据变换成模拟数据且构成使之能够输出到外部的输入输出回路。根据本发明即使没有DAC和ADC，模拟数据也能在SRAM上使用或者解读，可以减少根据变换过程而消耗的能量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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