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一种Mo-Si-B/TiN复合涂层及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110265206.7
  • IPC分类号:C23C14/06;C23C14/35;C23C14/02;B22F7/04;B22F9/04;B22F3/105
  • 申请日期:
    2021-03-11
  • 申请人:
    北京航空航天大学
著录项信息
专利名称一种Mo-Si-B/TiN复合涂层及其制备方法
申请号CN202110265206.7申请日期2021-03-11
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-29公开/公告号CN113046690A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/06IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;2;;;B;2;2;F;7;/;0;4;;;B;2;2;F;9;/;0;4;;;B;2;2;F;3;/;1;0;5查看分类表>
申请人北京航空航天大学申请人地址
北京市海淀区学院路37号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京航空航天大学当前权利人北京航空航天大学
发明人周春根;侯庆艳
代理机构北京航智知识产权代理事务所(普通合伙)代理人黄川;史继颖
摘要
本发明公开了一种Mo‑Si‑B/TiN复合涂层及其制备方法,Mo‑Si‑B/TiN复合涂层由TiN阻扩散层和Mo‑Si‑B混合层组成,TiN阻扩散层可以完全阻止制备过程中涂层与基体中元素的互扩散;在高温1200℃~1300℃下氧化100h后,氧化增重0.52mg/cm3~0.78mg/cm3,在Mo‑Si‑B混合层的表面形成晶态SiO2和非晶态硼硅酸盐混合层,可以阻止Mo‑Si‑B混合层进一步被氧化,氧化过程中TiN阻扩散层能够有效抑制Mo‑Si‑B混合层与基体间互扩散,从而保证Mo‑Si‑B/TiN复合涂层中有足够的抗氧化元素,有利于提高Mo‑Si‑B/TiN复合涂层的抗氧化寿命。

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