一种SBD低正向饱和专用材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110562774.3
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/20;H01L29/16;H01L29/872
申请日期：
2021-05-24
申请人：
深圳市联冀电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种SBD低正向饱和专用材料及其制备方法
申请号	CN202110562774.3	申请日期	2021-05-24
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-24	公开/公告号	CN113299539A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;9;/;1;6;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2查看分类表>
申请人	深圳市联冀电子有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区西乡街道桃源社区航城工业区深圳市智汇创新中心D栋3A05-3A07室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市联冀电子有限公司	当前权利人	深圳市联冀电子有限公司
发明人	刘官超;刘峻成
代理机构	北京市浩东律师事务所	代理人	张乐中

摘要

本发明公开了一种SBD低正向饱和专用材料及其制备方法，包括，制备硅晶重掺衬底，通过半导体专用设备外延炉上，在重掺杂硅单晶衬底片正面上以一定温度和时间淀积第一层一定厚度和电阻率的高阻外延层，形成外延层1，通过半导体专用设备外延炉上，在重掺杂硅单晶衬底片正面上以一定温度和时间淀积第二层一定厚度和电阻率的高阻外延层。本发明将外延片的外延层一分为三，且电阻率和厚度逐步增加，三层的平均电阻率低于常规外延片的外延层电阻率，带来的效果是SBD的反压VBR稳定不变，而正向饱和VF降低了0.1‑0.2V的范围，且动态参数正向浪涌IFSM和静电ESD能力都有了明显提升，这证明了SBD基材料外延片的外延层优化，能有效提升产品的静态和动态参数。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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