提升装置及半导体工艺设备

发明专利有效专利

申请号：
CN202110300813.2
IPC分类号：C23C14/50;C23C14/54;H01L21/687
申请日期：
2021-03-22
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	提升装置及半导体工艺设备
申请号	CN202110300813.2	申请日期	2021-03-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-02	公开/公告号	CN113061865A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/50 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/50 基座〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;5;0;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;7查看分类表>
申请人	北京北方华创微电子装备有限公司	申请人地址	北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	赵康宁
代理机构	北京国昊天诚知识产权代理有限公司	代理人	施敬勃

摘要

本申请公开了一种提升装置及半导体工艺设备，涉及半导体制造领域。该提升装置为半导体工艺设备中基座的提升装置，用于驱动基座在工艺腔室内升降，包括提升机构和平移机构；平移机构包括层叠设置的支撑部、第一滑板、第二滑板和安装板，调节组件连接支撑板和安装板，安装板固定于工艺腔室，第一滑板沿第一方向滑动连接于支撑板，第二滑板沿第二方向滑动连接于第一滑板，第二滑板上设有沿第三方向延伸的滑套；提升机构包括升降轴，升降轴可滑动地设置于滑套中。上述半导体工艺设备，包括上述提升装置。本申请实施例至少能够缓解基片位置偏差的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供