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有超短栅特征的晶体管和存储器单元及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02118352.X
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/8239;H01L29/78;H01L27/105
  • 申请日期:
    2002-03-01
  • 申请人:
    海力士半导体有限公司
著录项信息
专利名称有超短栅特征的晶体管和存储器单元及其制造方法
申请号CN02118352.X申请日期2002-03-01
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2003-03-26公开/公告号CN1405866
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;5查看分类表>
申请人海力士半导体有限公司申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人海力士半导体有限公司当前权利人海力士半导体有限公司
发明人彼得·拉布金;王兴亚;周开诚
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人陶凤波;侯宇
摘要
按本发明的一个实施例,半导体晶体管的制造方法包括:半导体本体区上形成与其绝缘的栅极;通过淀积和腐蚀沿栅极侧壁形成位移隔离层;所述位移隔离层形成后,本体区中形成源区和漏区,所以,栅极与各源区和漏区之间的重叠程度与位移隔离层厚度有关,位移隔离层越厚,栅极与各个源区和漏区之间的重叠越小。其中,根据牵引栅长度、所要求的沟道长度和工艺规范选择位移隔离层的厚度,以便单独优化沟道长度、源和漏杂质离子注入和热激活条件。

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