一种密封结构的深沟球轴承实用新型专利
申请号：CN202021565063.9
LOC分类号:F16C19/16
IPC结构图谱：
- H电学
- H9电学
- H01基本电气元件
- H01L半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕
- H01L31/058（转入H01L 31/0525，H02S 40/44）
- H01L31/08其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕
- H01L31/10特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕
- H01L31/101对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕
- H01L31/102仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕
- H01L31/107以雪崩模式工作的势垒，如雪崩光二极管〔5〕
