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一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510145242.4
IPC分类号：H01L21/60
申请日期：
2015-03-31
申请人：
中国科学院上海技术物理研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法
申请号	CN201510145242.4	申请日期	2015-03-31
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-01	公开/公告号	CN104752244A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/60 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/60 引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	中国科学院上海技术物理研究所	申请人地址	上海市虹口区玉田路500号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海技术物理研究所	当前权利人	中国科学院上海技术物理研究所
发明人	黄玥;白治中;周松敏;王建新;林春;叶振华;丁瑞军
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	郭英

摘要

本发明公开一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法。该工艺方法包括对准、加压及加热三个步骤。该方法的优点在于可以根据实际需要选用铟、金等多种材料制作焊点，简化了焊点制备工艺，降低了对焊点形貌一致性的要求，同时也克服了回熔焊技术对还原性气氛和表面处理的依赖。

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