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一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110020998.8
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/20
申请日期：
2011-01-19
申请人：
广东中显科技有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法
申请号	CN201110020998.8	申请日期	2011-01-19
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-25	公开/公告号	CN102610520A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0查看分类表>
申请人	广东中显科技有限公司	申请人地址	广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东中显科技有限公司	当前权利人	广东中显科技有限公司
发明人	赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚
代理机构	北京瑞恒信达知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王凤华

摘要

本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管的制造方法。该多晶硅薄膜晶体管包括有源层，其中所述有源层由具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜制成。本发明中，通过事先在硅氧化物层上定义完全等宽的凹槽获得具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜，从而可以使整个多晶硅薄膜成为高性能的薄膜晶体管有源层，因此解决了玻璃衬底收缩引起掩膜错位的问题，进而提高了晶体管的性能。

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