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金刚石载氮化镓晶片以及制造设备和制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201380020210.0
IPC分类号：C30B23/00
申请日期：
2013-02-28
申请人：
六号元素技术美国公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	金刚石载氮化镓晶片以及制造设备和制造方法
申请号	CN201380020210.0	申请日期	2013-02-28
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-01-14	公开/公告号	CN104285001A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B23/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人	六号元素技术美国公司	申请人地址	美国加利福尼亚变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	六号元素技术美国公司	当前权利人	六号元素技术美国公司
发明人	D·弗朗西斯;F·纳塞尔-费利;K·马修斯;F·Y·洛;Q·迪杜克;S·蔡塞夫;F·埃耶克哈姆
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王海宁

摘要

公开了一种用于将宽带隙半导体特别是氮化镓外延层与合成金刚石基底集成的方法。通过将合成金刚石沉积到成核层上来产生金刚石基底，所述成核层沉积或形成在层状结构上，所述层状结构包含至少一个氮化镓层。公开了以低翘曲和高结晶品质制造金刚石载GaN晶片的方法以及用于制造金刚石载GaN晶片和为特定应用定制的芯片的优选选择。

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