一种反馈式MOSFET沟槽的清洗干燥方法、装置及介质

发明专利有效专利

申请号：
CN202211142961.7
IPC分类号：H01L21/66;H01L21/02;H01L21/67
申请日期：
2022-09-20
申请人：
深圳市威兆半导体股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种反馈式MOSFET沟槽的清洗干燥方法、装置及介质
申请号	CN202211142961.7	申请日期	2022-09-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2022-10-21	公开/公告号	CN115223884A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	深圳市威兆半导体股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市威兆半导体股份有限公司	当前权利人	深圳市威兆半导体股份有限公司
发明人	李伟聪;姜春亮;雷秀芳
代理机构	北京惟盛达知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	陈钊

摘要

本申请提供一种反馈式MOSFET沟槽的清洗干燥方法、装置及介质。包括根据获取的晶圆表面的MOSFET沟槽清洗干燥后的完成状态信息获取清洗干燥后良率并阈值判断，若良率达到预设阈值则对清洗干燥参数进行分析并根据对应调整的清洗干燥参数调整生产效率和/或成本，若良率未达到预设阈值则根据清洗干燥次数做次数阈值对比调整清洗干燥参数进行重新清洗干燥或对MOSFET沟槽的完成状态进行标记，从而实现根据MOSFET沟槽的清洗干燥完成状态信息获得良率计算并基于良率和清洗干燥情况进行阈值判别调整清洗干燥参数以提高晶圆清洗干燥后良率，为提高MOSFET沟槽清洗干燥后的氧化膜厚度质量和器件整体生产良率进行基础提升。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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