热蒸发法制备孪晶结构碳化硅纳米线的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810120463.6
IPC分类号：C01B31/36
申请日期：
2008-08-29
申请人：
浙江理工大学

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著录项信息

专利名称	热蒸发法制备孪晶结构碳化硅纳米线的方法
申请号	CN200810120463.6	申请日期	2008-08-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-01-21	公开/公告号	CN101348253
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;3;6查看分类表>
申请人	浙江理工大学	申请人地址	浙江省杭州市江干区经济技术开发区白杨街道2号大街5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江理工大学	当前权利人	浙江理工大学
发明人	陈建军;高林辉;王耐艳
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	林怀禹

摘要

本发明公开了一种热蒸发法制备孪晶结构碳化硅纳米线的方法。首先将硅源放入石墨坩埚底部，在坩埚顶部搁置碳质材料，硅源与碳质材料之间不相互接触，碳质材料既是反应的碳源，又充当反应产物形成的基底，把装好样的坩埚装置放入高温真空烧结炉中，抽真空到0.1～20Pa，然后充入氩气保护气。然后，加热升温至1200～1650℃，保温0.5～10小时后，关掉电源，冷却后取出石墨坩埚，便得到碳质材料上有一层淡绿色、淡蓝色或灰色产物。本发明简单的热蒸发法具有生产成本低、纳米线纯度高，工艺简单易行的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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